Amaiera berunduna
Ezaugarri tekniko nagusiak:
Potentzia nominala: 5-800W;
Substratu materialak: BeO, AlN, Al2O3
Erresistentzia nominalaren balioa: 50Ω
Erresistentzia tolerantzia: ± % 5, ± % 2, ± % 1
Tenperatura koefizientea: <150 ppm/℃
Funtzionamendu tenperatura: -55~+150℃
ROHS estandarra: betetzen du
Aplikagarria den araua: Q/RFTYTR001-2022
Berunaren luzera: L, datu-orrian zehaztutakoa
(bezeroaren beharren arabera pertsonaliza daiteke)
| Potentzia(G) | Maiztasuna | Dimentsioak (unitatea: mm) | SubstratuaMateriala | Datu-orria (PDF) | |||||
| A | B | H | G | W | L | ||||
| 5W | 6 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-05TM0404 |
| 11 GHz | 1.27 | 2.54 | 0,5 | 1.0 | 0,8 | 3.0 | AlN | RFT50N-05TJ1225 | |
| 10W | 4GHz | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | BeO | RFT50-10TM2550 |
| 6 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-10TM0404 | |
| 8GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM0404 | |
| 10 GHz | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM5035 | |
| 18 GHz | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM5023 | |
| 20W | 4GHz | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | BeO | RFT50-20TM2550 |
| 6 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50N-20TJ0404 | |
| 8GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM0404 | |
| 10 GHz | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM5035 | |
| 18 GHz | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM5023 | |
| 30W | 6 GHz | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | AlN | RFT50N-30TJ0606 |
| 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-30TM0606 | ||
| 60W | 6 GHz | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | AlN | RFT50N-60TJ0606 |
| 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-60TM0606 | ||
| 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-60TJ6363 | ||
| 100W | 3 GHz | 6.35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | AlN | RFT50N-100TJ6395 |
| 8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | AlN | RFT50N-100TJ8957 | ||
| 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ9595 | ||
| 4GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ1010 | |
| 6 GHz | 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ6363 | |
| 8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | AlN | RFT50N-100TJ8957B | ||
| 8GHz | 9.0 | 6.0 | 1.5 | 2.0 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ0906C | |
| 150W | 3 GHz | 6.35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | AlN | RFT50N-150TJ6395 |
| 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ9595 | ||
| 4GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ1010 | |
| 6 GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ1010B | |
| 200W | 3 GHz | 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TJ9595 |
| 4GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TJ1010 | |
| 10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TM1313B | |
| 250W | 3 GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-250TM1210 |
| 10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-250TM1313B | |
| 300W | 3 GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-300TM1210 |
| 10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-300TM1313B | |
| 400W | 2 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-400TM1313 |
| 500W | 2 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-500TM1313 |
| 800W | 1 GHz | 25.4 | 25.4 | 3.2 | 4 | 6 | 7 | BeO | RFT50-800TM2525 |
Berundun amaiera substratuaren tamaina eta material egokiak hautatuz egiten da, maiztasun-eskakizun eta potentzia-eskakizun desberdinen arabera, erresistentziaren, zirkuituaren inprimaketaren eta sinterizazioaren bidez. Ohiko substratu-materialak berilio oxidoa, aluminio nitruroa, aluminio oxidoa edo beroa xahutzeko material hobeak izan daitezke batez ere.
Berundun Amaiera, film meheko prozesuan eta film lodiko prozesuan banatuta. Potentzia eta maiztasun eskakizun espezifikoetan oinarrituta diseinatzen da, eta ondoren prozesuaren bidez prozesatzen da. Behar bereziak badituzu, jarri harremanetan gure salmenta-langileekin pertsonalizaziorako irtenbide espezifikoak eskaintzeko.